RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2443
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link