RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
12.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2443
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link