RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
71
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1484
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link