RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2412
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link