RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3206
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link