RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2235
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link