RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
64
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
10.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2235
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link