RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2909
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link