RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2664
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link