RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link