RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link