RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
64
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3127
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link