RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2569
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link