RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3346
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link