Porównanie pamięci RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wynik ogólny

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 63

Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.4 1,447.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

478 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns