RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2361
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link