RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3167
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link