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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
64
左右 -167% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
24
读取速度,GB/s
4,651.3
16.8
写入速度,GB/s
2,256.8
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3167
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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