RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1806
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link