RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2930
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link