RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
64
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link