RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2404
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link