RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
71
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1922
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link