RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
71
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1863
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link