RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3076
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link