RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3076
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link