RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
64
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2136
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link