RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3086
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PSD31333C94G2VS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link