RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3798
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link