RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3215
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link