RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2860
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link