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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2860
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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