RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3245
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link