RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3788
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link