RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3226
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link