RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2725
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link