RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link