RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 18.7
    Среднее значение в тестах
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 65
    Около -210% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    14.3 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 18.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 14.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 3437

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
модули RAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
модули RAM