RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3416
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link