RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2863
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link