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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
37
读取速度,GB/s
9.7
15.2
写入速度,GB/s
6.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2863
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Mushkin 991586 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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