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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
14.2
12.2
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2354
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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