RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2354
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link