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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
64
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
34
读取速度,GB/s
4,651.3
14.9
写入速度,GB/s
2,256.8
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3075
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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