RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
64
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3075
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link