Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,256.8 11.7

Среднее значение в тестах

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 64

Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

64 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,651.3 14.9
Скорость записи, Гб/сек

2,256.8 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

837 3075

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM