RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2759
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link