RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3158
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link