RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3491
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link