RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3371
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link