RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2548
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link